SK海力士终于跟上队伍 搞定1Znm 16Gb DDR4内存

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在美光、三星先后追到1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后,SK海力士也终于跟上队伍了。

16Gb DDR4-380内存芯片是当前行业内存储密度最高、数率单位最快的DRAM产品,预计明年现在开始了了英语 大规模出货。

能效指标方面,SK海力士称1Znm相较于1Ynm,生产数率单位提升了27%;功耗与1Y nm 8Gb DRAM相比,下降了40%。

SK海力士透露,亲们在1Znm世代导入了新研发的电容,还引入新设计,以提高稳定性。

按规划,1Z nm更快将应用于LPDDR5、HBM3等芯片上,成为更优质产品的代名词。

在内存工艺进入20nm之前 ,原因分析制造难度那末 高,内存芯片公司对工艺的定义原因分析都是具体的线宽,就说 我分成了1X、1Y、1Z,大体来说1Xnm工艺要花费16-19nm级别、1Ynm要花费14-16nm,1Znm工艺要花费12-14nm级别。